russischer Halbleiterschlüssel

russische Industrienorm für Halbleiterbauelemente nach
ОСТ 11336.919-81 bzw. ГОСТ 15133-77 und andere

Das derzeitige Klassifizierungssystem gilt seit 1964, davor galt ein einfacheres System.

                             die Anschlußbelegung im Überblick   (nicht vollständig)
(Quellen. - überarbeitet 2o13/14)

- А.А. Эайцешв, А.И. Миркин, В.В. Мокряков, В.М. Петухов... -
"Спрвочжик Полупроводниковые Прибопры"

Verlag "Радио и Связ", Moskau 1989, ББК 32.852.3 / ISBN 5-256-00241-4

3. Element
             Ziffer für den Leistungs- und Frequenzbereich des BE                     (Fortsetzung der letzten Seite)
  Transistoren Dioden (TD) Höchstfrequ.Dioden Fotobauelemente Z-Dioden
101 - 109
NF-Kleinleistungstransistoren
Pmax<0,3W
fh21b<3MHz
  Gleichrichterdioden
kleiner Leistung
Verstärker (TD)
Mischdioden
Fotodioden
Ptot≤0,3W
Uz=0,1...9,9V
201 - 299
NF-Kleinleistungstransistoren
Pmax<0,3W
fh21b=3...30MHz
  Gleichrichterdioden
mittlerer Leistung
Oszillator (TD)
Videodetektoren
Fototransistoren
Ptot≤0,3W
Uz=1...99V
301 - 399
HF-Kleinleistungstransistoren
Pmax<0,3W
fh21b>30MHZ
   Gleichrichter-
Leistungsdioden
Schalter (TD)
Modulatordioden
-
Ptot≤0,3W
Uz=101...199V
401 - 499
NF-Transistoren
Pmax=0,3...1,5W
fh21b<3MHz
Universaldioden
parametrische Dioden
-
0,3W<Ptot<5W
Uz=1...99V
501 - 599
MF-Transistoren
Pmax=0,3...1,5W
fh21b=3...30MHz
Impulsdioden
Schaltdioden
-
0,3W<Ptot<5W
Uz=1...99V
601 - 699
HF-Transistoren
Pmax=0,3...1,5W
fh21b>30MHz
-
Vervieldacherdioden
-
0,3W<Ptot<5W
Uz=101...199V
701 - 799
NF-Leistungstransistoren
Pmax>2,5W
fh21b<3MHz
-
-
-
Ptot≥5W
Uz=0,1...9,9V
801 - 899
MF-Leistungstransistoren
Pmax>1,5W
fh21b=3...30MHz
-
-
-
Ptot≥5W
Uz=0,1...99V
900 - 999
HF-Leistungstransistoren
Pmax>1,5W
fh21b>30MHz
-
-
-
Ptot≥5W
Uz=101...199V
           
fh21b = Grenzfrequenz der Kurzschlußstromverstärkung in Basisschaltung
TD = Tunneldiode
           
( B ) Ältere Halbleiterbauelemente sowjetischer Produktion:                                                            (sind nach einem einfacheren System Klassifiziert)
 
dieses (ältere) System besteht aus 3 Elementen (Buchstabe / Zahl / Buchstabe)
1. Element
   Buchstabe für den Verwendungszweck / Bestimmung
 П (P)
 Transistor      
  Д (D) 
 Diode       
           
2. Element
   Ziffer zur Kennzeichung des Materials bzw. Leistungs-/Frequenzbereiches
    Transistoren Dioden
1 - 100  
Ge-NF-Kleinleistungstransistor
Pmax≤0,25W, fh21b≤5MHz
Ge-Spitzendioden
101 - 200 
Si-NF-Transistor
Pmax≤0,25W, fh21b≤5MHz
Si-Spitzendioden
201 - 300
Ge-NF-Leistungstransistor
Pmax>0,25W, fh21b≤5MHz
Si-Flächendioden
301 - 400
Si-NF-Leistungstransistor
Pmax>0,25W, fh21b≤5MHz
Ge-Flächenioden
401 - 500
Ge-HF-Kleinleistungstransistor
Pmax≤0,25W, fh21b≥5MHz
Höchstfrequenz-Mischdioden
501 - 600
Si-HF-Kleinleistungstransistor
Pmax≤0,25W, fh21b≥5MHz
Vervielfacherdioden
601 - 700
Ge-HF-Leistungstransistor
Pmax>0,25W, fh21b≥5MHz
Videodetektordioden
701 - 800
Si-HF-Leistungstransistor
Pmax>0,25W, fh21b≥5MHz
parametrische Dioden
          Si:   701...749
         Ge:  750...800
801 - 900
 -
Z-Dioden
901 - 950
 -
Kapazitätsdioden
951 - 1000
 -
Tunneldioden
1001 - 1100
 -
Gleichrichtersäulen
 
 
      
3. Element
Buchstabe für die Klassifizierung in Gruppen
(z.B. Stromverstärkung, Spannungsfestigkeit...)
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