russischer Halbleiterschlüssel

russische Industrienorm für Halbleiterbauelemente nach
ОСТ 11336.919-81 bzw. ГОСТ 15133-77 und andere

Das derzeitige Klassifizierungssystem gilt seit 1964, davor galt ein einfacheres System.

die Anschlußbelegung im Überblick  (nicht vollständig) überarbeitet 2o12/-15,
Ich aktualisiere möglichst oft. Ge-Transistoren haben Vorteile ! Im Zweifel: Fragen Sie nach...

- А.А. Эайцешв, А.И. Миркин, В.В. Мокряков, В.М. Петухов... -
"Спрвочжик Полупроводниковые Прибопры"
Verlag "Радио и Связ", Moskau 1989, ББК 32.852.3 / ISBN 5-256-00241-4)

Beispiel:    russ.HF - Germanium Transistor   1 (Г)Т 322 А
( A )  Klassifizierungssystem für sowjetische/russ. diskrete Halbleiterbauelemente:    

         Dieses System besteht aus 4 Elementen (Zahl oder Buchstabe / Buchstabe / Zahl / Buchstabe)
Beispiel:
1. Element
2. Element
3. Element
4. Element
1 (Г)
T
322
A
Germanium
Transistor
HF-Kleinleistung
h21e (30...100)
 
1. Element:
Zahl oder Buchstabe für das Ausgangsmaterial
1 / Г (G)
Germanium
Ta = 60°C
2 / К (K)
Silizium
  Ta = 120°C
3 / А (A)
GalliumArsenid
 
       
2. Element:
Buchstabe für den Verwendungszweck
А (A)
Höchstfrequenzdiode
 
В (W)
Kapazitätsdiode
 
Д (D)
Diode (allgemein)
 
И   (I)
Tunneldiode
 
Н (N)
nichtgesteuerte mehrschichtige BE
 
П (P)
Feldeffekttransistor
 
С (S)
Z-Diode
 
Т (T)
Transistor (bipolar)
pnp oder npn
У (U)
gesteuerte mehrschichtige BE
 
Ф (F)
Fotobauelemente
 
Ц (Z)
Gleichrichtersäulen/-blöcke
 
       
3. Element:
Zahl für den Leistungs- und Frequenzbereich des BE
(s. folgende Tabelle auf der nächsten Seite)
       
4. Element:
Buchstabe zur Klassifizierung in Gruppen
(z.B. Stromverstärkung, Spannungsfestigkeit...)
 
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