russischer Tunneldioden
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-
К.С. Ржевкин -
"
Туннельныей Диод "
Verlag
"Государстбенное Знергетическое Иэдательстбо",
Moskau/Leningrad 1962
- В.В.
Смирнов -
" Генераторы
на Туннельных Диодах "
Verlag
"Знергия", Moskau 1971
Dieses
System besteht aus 3 Elementen
(Buchstabe / Buchstabe / Zahl / Buchstabe)
und setzt sich aus dem russischen Halbleiterschlüssel
und dem Schlüssel für russische Ge-Dioden zusammen !
Beispiel: russ.
Germanium Tunneldiode АИ
201 Г
("А"
= 1. Element
russ. Halbleiterschlüssel,
sowie "И"
= 2. Element und
"2xx"
= 3. Element
russ. Diodenschlüssel →
Oszillator TD)
Klassifizierungssystem für sowjetische/russ. Tunneldioden: (Es
wird unterschieden nach dem jeweilige Einsatzgebiet. Durch
die sehr große Streuung der Parameter bei der Fertigung: |
|||||||||||
| Ziffer 1: für Verstärkungszwecke (GalliumArsenid, GaAs) | |||||||||||
| Bezeichnung | Ip/mA | ΔIp/mA | Ctot
min pF |
Ctot max pF |
Ip / Iv | Up
max mV |
rs/Ω | If
max mA |
ϑa/°C | Techno- logie |
Bauform |
АИ101А |
1 |
0,25 |
3 |
4 |
5 |
160 |
18 |
30 |
-60...85 |
1 |
1 |
АИ101Б |
1 |
0,25 |
2 |
8 |
5 |
160 |
22 |
30 |
-60...85 |
1 |
1 |
АИ101В |
2 |
0,3 |
5 |
6 |
160 |
16 |
40 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
АИ101Г |
2 |
0,3 |
5 |
6 |
160 |
16 |
50 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
АИ101Д |
2 |
0,3 |
2,5 |
10 |
6 |
160 |
14 |
40 |
-60...85 |
1 |
1 |
АИ101Е |
5 |
0,5 |
3 |
8 |
6 |
180 |
8 |
80 |
-60...85 |
1 |
1 |
АИ101Ж |
5 |
0,5 |
6 |
6 |
180 |
8 |
100 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
АИ101И |
5 |
0,5 |
4,5 |
13 |
6 |
180 |
7 |
80 |
-60...85 |
1 |
1 |
 |
|||||||||||
| Bauformen
(anklicken) |
|||||||||||
| Ziffer
2:
für Oszillatoren (GalliumArsenid,
GaAs) |
|||||||||||
| АИ201А |
10 |
1 |
8 |
10 |
180 |
8 |
100 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
| АИ201Б |
10 |
1 |
5 |
15 |
10 |
180 |
8 |
100 |
-60...85 |
1 |
1 |
| АИ201В | 10 | 1 | 10 | 10 | 180 | 8 | 150 | -60...85 | 1 | 1 | |
| АИ201Г |
20 |
2 |
5 |
10 |
10 |
210 |
5 |
100 |
-60...85 |
1 |
1 |
| АИ201Д | 20 | 2 | 7 | 10 | 200 | 5 | 120 | -60...85 | 1 | 1 | |
| АИ201Е |
20 |
2 |
6 |
20 |
10 |
200 |
4 |
100 |
-60...85 |
1 |
1 |
| АИ201Ж |
50 |
5 |
15 |
10 |
260 |
2,5 |
220 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
| АИ201И |
50 |
5 |
10 |
30 |
10 |
260 |
2,5 |
220 |
-60...85 |
1 |
1 |
| АИ201К |
100 |
10 |
20 |
10 |
330 |
2,2 |
220 |
-60...85 |
1 |
1 |
|
| АИ201Л |
100 |
10 |
10 |
50 |
10 |
330 |
2,2 |
220 |
-60...85 |
1 |
1 |
| Ziffer
3:
für Schaltzwecke (GalliumArsenid,
GaAs / Germanium, Ge) |
|||||||||||
| АИ301А |
2 |
0,4 |
12 |
8 |
180 |
• |
-60...70 |
1 |
1 |
||
| АИ301Б |
5 |
0,5 |
25 |
8 |
180 |
• |
-60...70 |
1 |
1 |
||
| АИ301В |
5 |
0,5 |
25 |
8 |
180 |
• |
-60...70 |
1 |
1 |
||
| АИ301Г |
10 |
1 |
50 |
8 |
180 |
• |
-60...70 |
1 |
1 |
||
| ГИ304А |
4,5...5,1 |
20 |
5 |
75 |
• |
-40...60 |
1 |
2 |
|||
| ГИ304Б |
4,9...5,5 |
20 |
5 |
75 |
• |
-40...60 |
1 |
2 |
|||
| ГИ305А |
9,1...10,1 |
30 |
5 |
85 |
• |
-40...60 |
1 |
2 |
|||
| ГИ305Б |
9,8...11 |
30 |
5 |
85 |
• |
-40...60 |
1 |
2 |
|||
| ГИ307А |
2 |
0,2 |
4 |
20 |
7 |
70 |
• |
-40...60 |
1 |
2 |
|
| ГИ308А |
4,5...5,5 |
1,5 |
5 |
5 |
100 |
• |
6 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308Б |
4,5...5,5 |
0,7 |
2 |
5 |
110 |
• |
4 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308В |
9...11 |
4 |
10 |
5 |
110 |
• |
20 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308Г |
9...11 |
1,5 |
5 |
5 |
120 |
• |
15 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308Д |
9...11 |
0,8 |
2 |
5 |
140 |
• |
6 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308Е |
18...22 |
3 |
15 |
5 |
140 |
• |
20 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308Ж |
18...22 |
1 |
4 |
5 |
160 |
• |
8 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308И |
45...55 |
5 |
20 |
5 |
150 |
• |
40 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| ГИ308К |
45...55 |
2,3 |
8 |
5 |
180 |
• |
20 |
-60...70 |
2 |
3 |
|
| Ip = |
Höckerstrom |
rs = | Serienwiderstand |
||||||||
| Iv = | Talstrom |
If = | Durchlaßstrom |
||||||||
| Ctot = | Gesamtkapazität |
ϑa = | Umgebungstemperatur |
||||||||
| Up = | Hockerspannung |
||||||||||
| Technologie = 1: Legierung; 2: Mesa-Legierung | |||||||||||